募集趣旨

戦略的創造研究推進事業CRESTの2025年度募集において、フランス国立研究機構（ANR）と連携し、以下の研究領域で日仏共同提案を募集します。 採択された場合、日本側グループはJST（CREST）から、フランス側グループはANRからそれぞれ支援を受けます。

共同研究提案を募集する研究領域

• 「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」
  （研究総括：齋藤 理一郎）
• 「予測・制御のための数理科学的基盤の創出」
  （研究総括：小谷 元子）

応募方法

JSTとANRの両機関に共同研究提案書（英語、CREST-ANR共通書式）を申請。

募集期間

ANR側：2025年3月3日（月）～6月2日（月）10:00 中央ヨーロッパ時間（夏時間
※ANRの申請受付期間は、JST（CREST）と異なりますのでご注意ください。
※JSTの申請受付は、今後CREST募集HPにてご案内いたします。
※CRESTへの応募の際に、ANRに提出した日仏共同研究提案の内容を変更することはできません。
※日仏共同提案と通常のCREST提案の両方を申請することはできません。

詳細URL

［ANR（近日中更新予定）］https://anr.fr/crest-2025/
［CREST］ https://www.jst.go.jp/kisoken/boshuu/teian.html

問合せ先

国立研究開発法人科学技術振興機構　戦略研究推進部［募集専用］
E-mail：rp-info[at]jst.go.jp ([at]を@に変えてください)